Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STBV32
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STBV32
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Multi-Epitaxial Planar NPN;
Form/Case/Outline: TO-92 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 0.5 A; U F: (<18) V; U S: <1.2 V; Isp: <1 mA; ß (beta): 8-35; N: 1.1 W; Imax(Ic): 1 A; Umax(Ucb): 700 V; Umax(Uce): 400 V; f g(FT): __ MHz; tf: <0.7 µs; tmax j: 150 °C.
Schneller Leistungsschalter
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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STBV32: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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