Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STD12NF06
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STD12NF06
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal STripFET° MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-251 / IPAK | TO-252 / DPAK Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 60 V; Idss: <1 µA; Vgs: +/- 20 V; Vgs(th): 2...4 V; Igss: <0.1 µA; Id: 12 A; Ptot: 30 W; Rds(on): <0.1 Ω; td(on): 7 ns; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 7 x 2 mm / 0.24 x 0.28 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST Microelectronics (SGS-Thomson)
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STD12NF06: STM
Günther Stabe † 19.8.20
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STD12NF06: STM
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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