Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STD5NK50
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STD5NK50
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power SuperMESH° MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: DPAK | IPAK (STD5NK50Z) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: +/- 30 V; Idss: <1 µA; Igss: <10 µA; Vgs(th): 3 ... 4.5 V; Pd: 70 W; Id: 4.4 A; Vdss: 500 V; Rds(on): <1.5 Ω; tmax j: 150 °C.
Varianten (Outline): STB5NK50Z[-1]= D²PAK | I²PAK; STP5NK50Z[FP] = TO-220[FP];
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 8 x 2 mm / 0.28 x 0.31 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST (SGS-Thomson) Microelectronics
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STD5NK50: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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STD5NK50: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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