Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STGB20NB37
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STGB20NB37
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Insulated Gate Bipolar Silicon N-Channel clamped Transistor (Power Mesh° IGBT);
Form/Case/Outline: D²PAK (STGB20NB37LZ) Anschlussfolge GCE;
Daten/electr.data: U S: <2.0 V; Iges: +/-100 nA; Pc: 200 W; Ic max: 20 A (peak/pulse: 80 A); Vces max: 600 V; t f: 12 µs; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 10 x 3 mm / 0.39 x 0.39 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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STGB20NB37: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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STGB20NB37: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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