Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STN4NE03
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STN4NE03
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal STripFet° Power MOS-FET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: SOT-223 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: V dss: 30 V; I dss: <1 µA; Vgs: +/- 15 V; I gss: +/- 0.1 µA; Id: 4 A; Pd: 2.5 W; Rds(on): 0.045 Ω; td(on): 15 ns; tmax j: 150 °C.
Variante: STN4NE03L = Rds(on): 0.037 Ω;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 2 x 4 mm / 0.28 x 0.08 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST Microelectronics (SGS-Thomson)
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STN4NE03: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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