Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STP25N05
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STP25N05
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp, Logic Level;
Form/Case: TO-220 | TO-220-Iso (STP25N05FI) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs(th): 1...2 V; Vgs: +/- 10 V; Idss: <1 µA; Igss: <100 nA; Vsd: <1.5 V; Pd: 60 W; Idr: 25 A; Vdss: 50 V; Rds(on): 0.047 Ohm; tmax j: 150 °C.
Ähnlich/similar: RFP25N05 (InterSil), ... -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature InterSil
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STP25N05
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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