Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STP3NA80
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STP3NA80
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal PowerMESH (TM) II MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS | TO-220-Iso (STP3NA80FI);
Daten/electr.data: V dss: 800 V; Vgs: +/- 30 V; Id: 3.2 (2) A; Idss: <250 µA; Pd: 100 (40) W; Rds(on): 4.5 Ohm; tmax j: 150 °C.
Variante: STP3NA80FI (Iso220): abweichende Angaben in Klammern -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST Microelectronics (SGS-Thomson)
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STP3NA80: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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STP3NA80: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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