Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STP3NC60
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STP3NC60
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
STP3NB60
Grenzwerte anders:
STP4NC60
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal PowerMESH (TM) II MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS | TO-220-Iso (STP3NC60FP*) | I²PAK (STB3NC60-1**) | D²PAK (STB3NC60T4**);
Daten/electr.data: V dss: 600 V; Vgs: +/- 30 V; Id: 3 A; Pd: 100 (35*) W (STB~ = 80 W**); Rds(on): 3.3 Ω; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST Microelectronics (SGS-Thomson)
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STP3NC60: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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