Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STP40N05
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STP40N05
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal STripFET° Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220 (STP40N05) | TO-220-Iso (STP40N05FI*) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs(th): 3 V; Vgs: +/- 20 V; Idss: <10 µA; Pd: 120 (40*) W; Idr: 40 (23*) A; Vdss: 50 V; Rds(on): <0.035 Ω; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST (SGS-Thomson) Microelectronics
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STP40N05: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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STP40N05: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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