Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STP4NB30
|
Land:
Frankreich / France
|
|
| Identisch mit |
STP4NB30
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal PowerMESH° MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS | TO-220-Iso (STP4NB30FP);
Daten/electr.data: V dss: 300 V; Vgs: +/- 30 V; Id: 4 A; Idss: <1 µA; Pd: 70 (30) W; Rds(on): <2 Ω; tmax j: 150 °C.
Variante: STP4NB30FP (Iso220): abweichende Angabe in Klammern -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST Microelectronics (SGS-Thomson)
|
|
STP4NB30: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
