Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STP4NB80
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STP4NB80
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal PowerMESH° MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS | TO-220-Iso (STP4NB80FP);
Daten/electr.data: V dss: 800 V; Vgs: __ V; Id: 4 A; Idss: µA; Pd: 100 (35) W; Rds(on): 3,3 Ω; tmax j: __ °C.
Variante: STP4NB30FP (Iso220) : abweichende Angabe in Klammern -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST Microelectronics (SGS-Thomson)
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STP4NB80: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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