Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STP6NB80
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STP6NB80
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power Mesh° MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220 (STP6NB80) | STP6NB80FP (TO-220-Iso*) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: +/- 30 V; Idss: <1 µA; Igss: 100 nA; Vgs(th): 3...5 V; Pd: 125 (40*) W; Idr: 5.7 A; Vdss: 800 V; Rds(on): <1.9 Ω; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST (SGS-Thomson) Microelectronics
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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