Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SUP40N10
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Land:
USA
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| Identisch mit |
SUP40N10
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
STP40N10
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220AB;
Daten/electr.data: Vgs/th): __ V; Vgs: +/-20 V; Idss: __ µA; Igss: __0 nA; Pd: 150 (45*) W; Idr: 40 (22*) A; Vdss: 100 V; Rds(on): <0.03 Ω; tmax j: 175 °C.
Manufacturer VISHAY (USA)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature VISHAY (USA)
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SUP40N10: Datasheet
Egon Strampe
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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