Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
TLP624
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
TLP624
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| Sockel |
SPEZIALSOCKEL allgemein
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| Beschreibung |
Aufbau/Content: IC (GaAs IR-Diode + Photo Transistor);
Form/Case/Outline: DIP-4 (TLP624) | DIP-8 (TLP624-2) | DIP16 (TLP624-4);
Application/Type: Photo Coupler (single / dual / quad);
Daten/electr.data: IF max: 60 (50) mA; Pd max: 100 (70) mW; Vceo max: 55 V (5...24 V); Veco max: 7 V; Ic max: 50 mA (1...10 mA); Pc max: 150 (100) mW; IF: 16 mA; Vf: 1.15 V; Ir: <10 µA; U S: 0.2 V; CTR: 100...1200 %; t op: -25...+85 °C;
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 7 x 8 mm / 0.20 x 0.28 x 0.31 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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TLP624: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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TLP624: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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