Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
TP2N45
Land:
USA
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Identisch mit |
TP2N45
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 450 V; Id: 3 (2) A; Pd: 50 W; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): 4.0 Ohm; tmax j: 150 °C.
Ähnlich/Similar: MTP2N45 (Fairchild), IRF821 / IRF823 (IR) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
Literatur |
- - Manufacturers Literature Fairchild
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TP2N45: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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