Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
TPC8127
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
TPC8127
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium P-Kanal MOS-FET;
Form/Case/Outline: SOP-8;
Daten/electr.data: Vds: -30 V; Vgs: +/- 20 V; Vgs(th): -2.0 V; Id: -13 A; Idss: __ µA; Igss: __ µA; Rds(on): 0.0065 Ω; Pd: 1.0 W; tf: 9 ns; tmax j: __ °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 2 x 4 mm / 0.24 x 0.08 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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TPC8127: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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