Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
TPS606
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
TPS606
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium NPN Phototransistor;
Form/Case/Outline: 0-2C1 (TPS606) | DIP-2 (TPS606LB);
Daten/electr.data: Empfindlichkeit: __ µA / __ lx, Ub: 20 V, Hellstrom: __ mA (max: 20 mA), Pd max: 50 mW, Ansprechzeit/f: __ kHz, t op: -20...+85 °C; -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 2 x 2 mm / 0.20 x 0.08 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers.
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TPS606: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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TPS606: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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TPS606: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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