Material/Aufbau/Pol.: 6 Silizium P-Kanal-Anreicherungstyp MOS-FET; Form/Case/Outline: DIP-14; Daten/electr.data: Rds(on): >150 Ohm; Uds: -31...+0.3 V; Udg: +/- 31 V; N: 400 mW; Imax(Id): -25 mA; Udsv: -2 V; f g(FT): __ MHz; tmax j: __ °C. -