Material/Aufbau/Pol.: Zweifach (Dual) Silizium N-Kanal Sperrschicht FET; Form/Case/Outline: TO-71 Anschlussfolge S1-D1-G1-.-S2-D2-G2-.-; Daten/electr.data: delta Ugs: __ mV; U gs: +/- 25 V; delta IG: __ pA; Vgs(th): 1...6 V; ß (beta): __; Pd: 250 mW; ID max: 50 mA; IG max: __ mA; Umax: __ V; max. Off-Set: 20 mV; f g(FT): __ MHz; tmax j: 150 °C. -
