Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
YG868C
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
YG868C
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Schottky Barrier Dioden;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge A1-K1/K2-A2;
Daten/electr.data: I out: 30 A; Pd: __ W; Ifsm: 160 A; Vrrm: 45 V; tmax j: 150 °C.
Manufactured by Fuji Electric Corp. (J)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Fuji
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YG868C: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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