Herstellung AF114...AF117

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Herstellung AF114...AF117 
10.Dec.17 13:10
1941
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Rudolf Drabek (A)
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Rudolf Drabek

Vorläufertypen waren OC169... Spätere Typen AF124....ohne den "tin whisker" Fehler. Alle diese Typen hatten die später erwähnte einseitige Technologie, wo der Kristall den Kollektor  bildet.

Der Bericht ist eine Ergänzung zum diesem Artikel.

Vor dien AF114... Typen war der Herstellungsprozess von HF-Transistoren abgeleitet vom Prozss der NF-Typen wie typisch OC71. Kennzeichnend ist die zweiseitige Technologie, wo auf beiden Seiten des Basisteiles Indiumkügelchen einlegiert wurden. Ein typisches Bild eines Legierungstransistors im speziellen ein AC125, gesehen von zwei Blickrichtungen.

Links im Bild ist gut das kreisförmige Basissubstrat zu erkennen.

Die ersten HF-Transistoren wie typ. OC44 und OC45 waren mit  Legierungstechnologie hergestellt kamen aber für höhere Frequenzen wie UKW nicht in Frage.

Dazu war ein neuer Prozess erforderlich, dier noch dazu den Vorteil  einer einseitigen Technolgie hatte, was den Herstellungsprozess vereinfachte.

Man erkennt deutlich den Unterschied zum AC125 im obersten Doppelbild. Der wesentliche Vorprung ist auf die Entwicklung in der Dotiertechnologie zurückzuführen.

Man konnte also durch geeignete Prozessführung die Dicke der Basisschicht steuern. Einen Nachteil hat diese Technologie wie im Bild zu sehen. Man konnte die Basis nur über den Umweg eines Basiskügelchens erreichen, was die Rückwirkungskapazität Cre im Prinzip verdoppelte. Siehe auch das Datenblatt im Bericht von Herrn Sticht.

Diese Transistoren wurde u.a. in Klagenfurt hergestellt, wo ich einige Details zur Herstellung kennenlernte. Siehe mein Profil unter Germanium Transistoren um ext. Link zu vermeiden.

 

Für diesen Post bedanken, weil hilfreich und/oder fachlich fundiert.