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1N1923

Información - Ayuda 
ID = 53176
       
País:
Estados Unidos
Marca: Raytheon Mfg. Co.; Cambridge, MA
Tipo:  SEMICONDUCTOR, general 
Idéntica a 1N1923

Usada en Prototype only, no series built
Descripción Early germanium diode, patented by C.G. Smith of Raytheon as current sensor based upon its temperature characteristics. No known volume production. 
Literatura -- Original prospect or advert   Electronics, Dec. 1952, pg. 267

 

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