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1N306

Information - Hilfe 
ID = 40693
       
Land:
USA
Marke: Raytheon Mfg. Co.; Cambridge, MA
Typ:  Halbleiter-Diode 
Identisch mit 1N306
Sockel Drahtenden
Beschreibung Gold bonded germanium diode. 15V PIV, 150mA max forward current, 0.8V forward drop at 100mA. 
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 8 x 5 x 4 mm / 0.31 x 0.20 x 0.16 inch
Literatur -- Original-techn. papers.   Electronics, Sept. 1955
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[rmxtube-ge, noindex]
  
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