Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1N5820
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Land:
USA
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| Identisch mit |
1N5820
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium Barrier Schottky-Diode;
Form/Case: DO-201;
Daten/electr.data: I F: 2 mA; U F: 0.475 V; I sp: __ µA; U sp: 14 V; N: __ W, Imax: 3 A; Umax: 20 V; tmax j: 125 °C;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 10 x 5 mm / 0.20 x 0.39 x 0.20 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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-- Original-techn. papers. Diodes Inc.
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1N5820: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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1N5820: Motorola 1978
Heinz Höger
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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