Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN; Form/Case/Outline: TO-39 (~ TO-5 mit Metallplatte); Daten/electr.data: I F: 150 mA; U F: 10 V; U S: <5 V; Isp: <10 nA; ß (beta): 100-300; N: 800 mW; Imax(Ic): 600 mA; Umax(Ucb): 100 V; Umax(Uce): 60 V; f g(FT): >60 MHz; tmax j: 175 °C. -
