Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2N2395
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Land:
USA
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| Identisch mit |
2N2395
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
2N2396
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN;
Form/Case/Outline: TO-50 Anschlussfolge ECB;
Daten/electr.data: I F: 150 mA; U F: 5 V; U S: <1.0 V; Isp: <0.01 µA; beta/ß/hfe: 20-60; N: 450 mW; Imax(Ic): 300 mA; Umax(Ucb): 60 V; Umax(Uce): 40 V; f g: >40 MHz; tmax j: 200 °C;
Vorläufer: TI432 -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 2 x 6 mm / 0.24 x 0.08 x 0.24 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) KTT 1969/70, TTT Steidle 1981
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2N2395: TVT 1979/80 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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2N2395: Texas Instruments Transistor& Dioden Manual
Heinz Höger
Mehr...
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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