Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2N5449
|
Land:
USA
|
|
| Identisch mit |
2N5449
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Aufbau/Material/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN;
Form/Case/Outline: R-221 (~ TO-92) Anschlussfolge EBC;
Daten/electr.data: I F: 100 mA; U F: (5) V; U S: <0.6 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 100-300; N: 625 mW; Imax: 800 mA; Umax(Ucb): 50 V; Umax(Uce): 30 V; f g: >100 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2N5447.
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) TTT Steidle 1981
|
2N5449: Texas Instruments
Heinz Höger
|
2N5449: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
