Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2N5451
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Land:
USA
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| Identisch mit |
2N5451
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Aufbau/Material/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN;
Form/Case/Outline: R-221 (~ TO-92) Anschlussfolge EBC;
Daten/electr.data: I F: 50 mA; U F: (5) V; U S: <1.0 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 30-600; N: 625 mW; Imax(Ic): 800 mA; Umax(Ucb): 40 V; Umax(Uce): 20 V; f g: >100 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2N5447.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) TTT Steidle 1981
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2N5451: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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2N5451: Texas Instruments Transistor& Dioden Manual
Heinz Höger
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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