Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK362
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK362
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-FET;
Form/Case: TO-92 Anschlussfolge SGD;
Daten/electr.data: I g: <10 mA; Idss: 1.2 ... 14 mA*; Vgs(off): <1.5 V; Igss: <1 nA; ß (beta): __; Pd: <300 mW; Vgds: -50 V; f g (FT): __ MHz; Rds(on): 80 Ohm; tmax j: 125 °C;
Varianten: 2SK362-Y = 1.2 ... 3 mA*, 2SK362-GR = 2.6 ... 6.5 mA*, 2SK362-BL = 6...14 mA* (Drain-Source-Kurzschlussstrom Idss);
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature
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2SK362: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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