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2SK366

Information - Hilfe 
ID = 57279
       
Land:
Japan
Marke: Toshiba Corporation; Tokyo
Typ:  Transistor   Niederfrequenz 
Identisch mit 2SK366
Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-FET;
Form/Case: TO-92-M Anschlussfolge: SGD;
Daten/electr.data: I g: <10 mA; Idss: 2.6 ... 20 mA*; Vgs(off): <1.5 V; Igss: <1 nA; ß (beta): __; Pd: <200 mW; Vgds: -40 V; f g (FT): __ MHz; Rds(on): <50 Ohm; tmax j: 125 °C;
Varianten: 2SK366-GR = 2.6 ... 6.5 mA*, 2SK366-BL = 6...12 mA*, 2SK366-V = 10...20 mA* (Drain-Source-Kurzschlussstrom Idss);
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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 4 x 3 x 3 mm / 0.16 x 0.12 x 0.12 inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur - - -   
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[rmxtube-ge, noindex]
  
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