Material/Aufbau: Silizium Planar Diode; Form/Case: DO-35; Daten/electr.data: I F: 100 mA; U F: <1 V; I sp: <0.1 µA; U sp: 150 V; N: 400 mW; I max: 250 mA (peak: 525 mA); U max: 200 V; f g: __ MHz; tmax: 175 °C. -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli
5 x 3 x mm / 0.20 x 0.12 x inch
Gewicht
1 g / 0.04 oz
Literatur
- - Manufacturers Literature
BAV20: Saba FF040
Egon Strampe
BAV20: Philips datasheet
Günther Stabe † 19.8.20
BAV20: ITT_Dioden_1971_72
Thomas Günzel † 1.8.22
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