Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BAY90
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Land:
Deutschland / Germany
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| Identisch mit |
BAY90
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium diff. Diode;
Form/Case: ~ DO-7;
Daten/electr.data: I F: 100 mA; U F: 1 V; Isp: 0.1 µA; Usp: 800 V; N: 250 mW; Imax: 100 mA; Umax: 800 V; 1 µs; 1.2 pF; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 3 x mm / 0.28 x 0.12 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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BAY90: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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BAY90: Telefunken Taschenbuch 1971
Heinz Höger
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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