Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar PNP; Form/Case: SOT-33 Anschlussfolge EBC; Daten/electr.data: I F: 2 mA; U F: -6 V; U S: __ V; Isp: __ µA; ß (beta): >110; N: 200 mW; Imax(Ic): 100 mA; Umax(Ucb): -80 V; Umax(Uce): -60 V; f g(FT): >75 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: BCW46. Varianten: BCW56A = N: 150 mW -