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BD522

Information - Hilfe 
ID = 71416
       
Land:
Deutschland / Germany
Marke: Intermetall Halbleiterwerk, Düsseldorf
Typ:  Transistor   Universal 
Identisch mit BD522
Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Enhancement VMOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-202 Anschlussfolge SDG;
Daten/electr.data: N: 350 (630) mW; Id: 1.5 A; Vds: 60 V; Ptot: 10 W; Vgs(th): 0.8 ... 3 V; Igss: < 100 nA; Rds(on): 0.2 Ω; tmax j: 150 °C;
-

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 9 x 21 x 5 mm / 0.35 x 0.83 x 0.20 inch
Gewicht 2 g / 0.07 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   ITT
bd522_typ_sch.png
BD522: Markt & Technik 1979
Heinz Höger
bd522_s.png BD522: ITT
Günther Stabe † 19.8.20
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BD522: ITT
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

Museum Roggenhofer (A)
 
bd522.jpg

 
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