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BD975

Information - Hilfe 
ID = 52171
       
Land:
Deutschland / Germany
Marke: Siemens (& Halske, -Schuckert Werke SSW, Electrogeräte); Berlin, München
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit BD975
Ähnliche
Sockel anders, elektr. Daten leicht and:
  BD679

Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN Darlington;
Form/Case: B-12 Anschlussfolge E2-C1/C2-B1.
Daten/electr.data: I F: 500 mA; U S: <1.8 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): >2000; N: 3.6 W; Imax(Ic): 2 A; Umax(Uce): 45 V; f g(FT): 200 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: BD976.

Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
10 x 22 x 5 mm / 0.39 x 0.87 x 0.20 inch
Gewicht 3 g / 0.11 oz
Literatur

b12_3.gif BD975
Günther Stabe † 19.8.20

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BD975: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

 
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