Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BDT65
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Land:
Niederlande
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| Identisch mit |
BDT65
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial NPN Darlington;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge B1-C1/C2-E2.
Daten/electr.data: I F: 0.5 A; U S: <2.0 V; Isp: <200 µA; ß (beta): >1000; N: 125 W; Imax(Ic): 12 A; Umax(Uce): 60 V; f g(FT): __ MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: BDT64 / BDT64A / BDT64B / BDT64C.
Varianten: BDT65A = 80 V, BDT65B = 100 V, BDT65C = 120 V (Umax(Uce));
Stempelung auch als RBDT65A
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers.
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BDT65: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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