Material/Aufbau/Pol.: Silizium NPN; Form/Case/Outline: SOT23, Anschlussfolge EBC; Daten/electr.data: I F: mA; U S: V; Isp: nA; ß (beta): 35-250; N: 280 mW; Imax(Ic): 25 mA; Umax(Vcbo): 30 V; Umax(Vceo): 20 V; f g(FT): >1.1 GHz; tmax j: 150 °C. -
