Material/Aufbau/Pol.: Dual Silizium Planar NPN; Form/Case/Outline: TO-77 Anschlussfolge -CBE-EBC; Daten/electr.data: I F: 0.01 mA; U F: 5 V; Isp: 2 nA; ß (beta): 60-240; N: __ mW; Imax(Ic): 30 mA; Umax(Uce): 45 V; f g(FT): (60) MHz; tmax j: 200 °C (Angaben pro Einzelsystem). Zweifach-Transistor für A-Verstärkung / Differential-Schaltungen; Austauschtyp/similar to: 2N2639-44, 2N2917 (2N2913-20) -
