Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN; Form/Case/Outline: TO-39; Daten/electr.data: I F: 10 mA; U F: 10 V; Isp: 10 nA; ß (beta): >35; N: 800 mW; Imax (Ic): 750 mA; Umax (Ucb): 120 V; Umax/Uce): 80 V; f g(FT): (150) MHz; tmax j: 200 °C. Listenpreis 1964/65 (Arlt): DM 26.00 Vergleichstyp: BSS42, BSV84 -
