Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BUZ11A
|
Land:
Europa
|
|
| Identisch mit |
BUZ11A
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET Anreicherungstyp;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: VDS: 50V; ID: 26 A; RDS(on): 0.055Ω; PD: 75 W; TJ max: 150 °C.
Manufactured by ST SGS-Thomson.
-
|
Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST SGS-Thomson Microelectronics
|
|
BUZ11A: Thomson
Egon Strampe
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|