Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BUZ73
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Land:
Europa
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| Identisch mit |
BUZ73
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET - SIPMOS° - Anreicherungstyp, Avalanche-rated;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: V ds: 200 V; V gs: +/- 20 V; Id: 5.5 A; Pd: 40 W; R ds(on): 0.6 Ohm; tmax op: -55...+150 °C.
Full name: BUZ73A -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature Siemens
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BUZ73
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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