Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
CEP02N6
| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-220 | TO-263 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 600 V; Vgss: +/- 30 V; Vgs(th): 2...4 V; Id: 2 A (pulse: 6 A); Idss: <25 µA; Igss: <100 nA; Rds(on): <5 Ω; Pd: 60 W; td(on): <35 ns; tmax j: 150 °C.
Manufactured by CET - Chino-Excel Technology Corp. -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature CET
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CEP02N6: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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