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H02N60I

Información - Ayuda 
ID = 60567
       
País:
Taiwan (Republic of China)
Marca: Common type Taiwan tube/semicond.
Tipo:  Transistor   Power-supply 
Idéntica a H02N60I
Válvulas similares
Substituya normalmente -diferencia peq.:
  CEP02N6 ; FQU2N60 ; SSP2N60A ; UTC2N60L

Base Wires
Descripción

Silicon N-channel enhancement power MOS-FET 600 V, 2 A.
-

 
Texto en otros idiomas puede diferir
Dimensiones
(Alt,Ancho,Prof.)
incl.pins/tip
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch
Peso 2 g / 0.07 oz
Literatura - - Manufacturers Literature   HI-SINCERITY

to_220_iso_gds_tosh~~4.png H02N60I: (Toshiba)
Günther Stabe † 19.8.20

Colección personal de

 
h02n601.jpg

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