Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
FQPF16N25
Land:
USA
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Identisch mit |
FQPF16N25
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: N-Channel Power MOSFET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-220-F[Iso] (FQPF16N25C) | TO-220 (FQP16N25C) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: +/- 30 V; Vgs(th): 2...4 V; Igss: <100 nA; Idss: <100 µA; Rds(on): 0.27 Ohm; N: 139 W (FQP16N25C) | 43 W (FQPF16N25C); Id: <15.6 A; Vdss: 250 V; t op: -55...+150 °C.
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
Literatur |
- - Manufacturers Literature
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FQPF16N25: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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FQPF16N25: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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