Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IPD09N03
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Land:
Deutschland / Germany
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| Identisch mit |
IPD09N03
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal OptiMOS°3 Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-252 (IPD09N03LAG) | TO-252-3-23 (IPF09N03LAG) | TO-521-3-11 (IPS09N03LAG) | TO-251-3-21 (IPU09N03LAG) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 25 V; Vgs: +/- 20 V; Vgs(th): 1.2 ... 2.0 V; Id: 50 A; Idss: 0.1 µA; Igss: < 0.1 mA; Pd: 63 W; Rds(on): <0.015 Ω; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 8 x 3 mm / 0.28 x 0.31 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Infineon
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IPD09N03: Infineon
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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