Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN; Form/Case: TO-60 Anschlussfolge EBC; Daten/electr.data: I F: 10 mA; U F: 4 V; Isp: __ µA; ß (beta): >15; N: 2.5 W; Imax(Ic): 400 mA; Umax(Ucb): 60 V; Umax(Uce): 60 V; f g(FT): 350 MHz; tmax j: 120 °C. Variante: kt606b = fg: 300 MHz;-