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OC829

Information - Hilfe 
ID = 35094
       
Land:
Deutschland / Germany
Marke: Halbleiterwerk Frankfurt /Oder, VEB, (HFO); Frankfurt /Oder (Ostd.)
Entwickler: Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik (WBN), Teltow, VEB, RFT (Ostd.) - vorm. DRALOWID 
Typ:  Transistor   Niederfrequenz 
Identisch mit OC829
Ähnliche
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
  OC309
Erste Quelle(n)
Mar.1959 : -- Collector info (Sammler)
Vorgänger OC823  

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Germanium Fläche PNP;
Form/Case: ähnlich TO-5; IEC-Norm T09
Daten/electr.data: I F: 2 mA; U F: 6 V; Isp: 15 µA; ß (beta): >20; N: 150 mW; Imax(Ic): 150 mA; Umax(Uce): -60 V; f g(FT): 0.3 MHz; tmax: 75 °C.
Später in HWF (Halbleiterwerk Frankfurt/Oder) gebaut.

 
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
10 x 8 x mm / 0.39 x 0.31 x inch
Gewicht 2 g / 0.07 oz
Literatur -- Collector info (Sammler)   KTT 1969/70
Radio und Fernsehen (DDR)   05/1962

la_s_5.gif OC829: KTT 1969/70
Günther Stabe † 19.8.20

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OC829: Radio und Fernsehen 5/62
Egon Strampe

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Sammlung von

 
d_hfo_oc829.jpg

OC829
 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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