Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
TLP621
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
TLP621
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| Sockel |
SPEZIALSOCKEL allgemein
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| Beschreibung |
Aufbau/Content: IC (GaAs IR-Diode + Photo Transistor);
Form/Case/Outline: DIP-4 (TLP621) | DIP-8 (TLP621-2) | DIP16 (TLP621-4);
Application/Type: Photo Coupler (single / dual / quad);
Daten/electr.data: IF max: 60 (50) mA; Pd max: 100 (70) mW; Vceo max: 55 V; Veco max: 7 V; Ic max: 50 mA; Pc max: 150 (100) mW; Vcc: 5 V; IF: 16 mA; VF: 1.15 V; Ir: <10 µA; U S: 0.2 V; Ic: 1 mA; t op: -25...+85 °C;
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 7 x 8 mm / 0.20 x 0.28 x 0.31 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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TLP621: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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TLP621: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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