Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
PSMN063
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Land:
Niederlande
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| Identisch mit |
PSMN063
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power Trench° MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case/Outline: D-PAK / TO-252 (PSMN063-150D) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 150 V; Vgs: +/- 20 V; Vgs(th): 2...4 V; Id: 29 A; Igss: 0.02 nA; Idss: <10 µA; Rds(on): <0.063 Ω; Pd: 150 W; td(on): 14 ns; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 7 x 2 mm / 0.28 x 0.28 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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PSMN063: Philips
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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