Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
PSMN070
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Land:
Niederlande
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| Identisch mit |
PSMN070
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power Trench MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-220 (PSMN070-200P) | D²PAK (PSMN070-200B) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 200 V; Vgs: +/- 20 V; Vgs(th): 2...4 V; Id: 35 A; Igss: 2 nA; Idss: <10 µA; Rds(on): <0.07 Ω; Pd: 250 W; td(on): 22 ns; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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PSMN070: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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